AI·자율주행차 메모리용 신소재 개발
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#14 페로브스카이트, 반응속도 20ns
포항공대 이장식 교수팀이 페로브스카이트를 이용한 저항변화메모리 소자를 개발했습니다.
저항변화메모리는 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 그대로 유지되는 비휘발성 메모리 소자입니다.
전압에 따라 고저항 상태에서 저 저항상태로, 또는 반대 상태로 바뀌는 현상을 이용하는데요.
페로브스카이트는 저항변화 특성을 제어 할 수 있지만 느린 동작 속도가 한계였습니다.
다이머 구조의 'Cs3Sb2I9' 페로브스카이트 소재로 기존 페로브스카이트 소재들보다 빠른 속도의 동작 가능성을 발견했다고 합니다.
반응속도가 무려 1억분의 2초, 20ns라고 하네요.
AI, 자율주행차, IoT, 5G 등 기술의 발달로 많은 양의 데이터를 빠른 시간에 처리해야 하는데, 이에 도움이 될 것으로 보입니다.
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2021년 6월 13일 오후 12:39
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