< D램 다음 메모리 반도체는 F램? > 모든 디지털 기기에는 정보를 저장할 수 있는 부품인 메모리(memory) 반도체가 필요하다. 메모리 반도체의 종류는 매우 다양하지만 일반적으로 가장 많이 사용되고 있는 메모리로는 ‘D램(Dynamic Random Access Memory)’과 ‘플래시 메모리(Flash Memory)’가 꼽힌다. 두 메모리가 반도체 시장을 양분하고 있었던 데에는 그럴만한 이유가 있다. D램의 경우 데이터를 빠른 속도로 처리한다는 장점을 갖고 있고, 플래시 메모리는 비휘발성 메모리여서 전원이 공급되지 않아도 데이터를 저장할 수 있기 때문이다. 또한 플래시 메모리는 작고 가볍게 만들 수 있는 데다가 물리적인 충격에도 강한 장점을 갖고 있다. 물론 단점도 있다. D램은 방전되면 저장되어 있던 기록이 사라지는 휘발성 메모리여서 끊임없이 전원을 공급해 주어야 한다는 단점을 갖고 있다. 반면에 플래시 메모리는 D램 에 비해 처리 속도가 현저히 느린 것이 단점이다. 두 메모리가 공통적으로 갖고 있는 문제도 있다. 바로 집적도를 높이는 데 있어 한계가 있다는 점이다. F램(Ferroelectric Random Access Memory)은 D램과 플래시 메모리의 장점만을 딴 차세대 메모리다. 전원이 공급되지 않아도 데이터를 반영구적으로 보존할 수 있으면서, 빠르게 정보를 처리할 수 있다. 그렇다면 어째서 아직까지 F램이 실용화되지 못한 것일까. 그 이유는 F램 개발을 위해서는 해결해야 할 과제들이 있기 때문이다. 그중에서도 F램에 사용되는 강유전체 물질의 박막 두께를 얇게 만드는 과정에 있어 반도체 업체들은 수많은 시행착오를 겪어왔다. 그런데 이 같은 문제를 극복할 수 있는 연구결과가 최근 국내 연구진에 의해 밝혀져 주목을 끌고 있다. 서울대 기능집적형산화물복합구조연구단 연구진이 개발한 이 기술은 금속물질인 배리움(Beryllium)과 타이타니움(Titanium)에 산소를 화합하여 5nm 두께에서도 전기적 성질을 가지는 F램의 박막 두께를 만들 수 있다.